Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y,F(J
- MFG-Teilenummer
- 2SA965-Y,F(J
- verfügbare Anzahl
- 86400 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- - TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Single
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- 2SA965-Y,F(J.pdf
2SA965-Y,F(J Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | 2SA965-Y,F(J |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-2SA965-Y,F(J |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| 2SA965-Y,F(J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| Transistortyp | PNP |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 800mA |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 120V |
| Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Leistung max | 900mW |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Supplier Device Package | LSTM |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SA965-Y,F(J Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | 2SA965-Y,F(J-FT |
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