Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SA965-Y,T6F(J
Herstellerteilenummer | 2SA965-Y,T6F(J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SA965-Y,T6F(J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SA965-Y,T6F(J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 800mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 120V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
Leistung max | 900mW |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Supplier Device Package | LSTM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA965-Y,T6F(J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SA965-Y,T6F(J-FT |
BC857BWH6778XTSA1
Infineon Technologies
BC857CWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC857CWE6433HTMA1
Infineon Technologies
BC857CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC857CWH6433XTMA1
Infineon Technologies
BC858BWE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC858BWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC858CWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC858CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC860BWE6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.