Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SB08730Q
Herstellerteilenummer | 2SB08730Q |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SB08730Q |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SB08730Q Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 2A, 2V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Supplier Device Package | TO-92L-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB08730Q Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SB08730Q-FT |
2STF1340
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EPF10K10ATC144-3N
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Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
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A3P250-2FGG256I
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M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
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EP4CE15E22I7N
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LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
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EP20K1000CF33C8N
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