Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SB08730R
Herstellerteilenummer | 2SB08730R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SB08730R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SB08730R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 180 @ 2A, 2V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Supplier Device Package | TO-92L-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB08730R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SB08730R-FT |
2STF1550
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2STF2220
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MD2001FX
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EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation