Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SB08730R
Herstellerteilenummer | 2SB08730R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SB08730R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SB08730R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 180 @ 2A, 2V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Supplier Device Package | TO-92L-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB08730R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SB08730R-FT |
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XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V2-ZCSG81
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P1AFS1500-2FGG484I
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LFE2-70SE-6F900I
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EPF10K250EFC672-2
Intel
5SGSED8K2F40I3N
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5SGXMB5R1F43I2N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation