Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SB815-7-TB-E
Herstellerteilenummer | 2SB815-7-TB-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SB815-7-TB-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SB815-7-TB-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 700mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 80mV @ 10mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 300 @ 50mA, 2V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | 3-CP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB815-7-TB-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SB815-7-TB-E-FT |
MMBT589LT1G
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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10M08SCU169C8G
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XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
Intel