Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SB817C-1E
Herstellerteilenummer | 2SB817C-1E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SB817C-1E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SB817C-1E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 12A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 140V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
Leistung max | 120W |
Frequenz - Übergang | 10MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Supplier Device Package | TO-3P-3L |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB817C-1E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SB817C-1E-FT |
MJD44E3T4G
ON Semiconductor
NJVMJD122T4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD44H11RLG-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD45H11RLG-VF01
ON Semiconductor
NSV1C301ET4G-VF01
ON Semiconductor
MJD200T4G
ON Semiconductor
MJD32CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD127T4G
ON Semiconductor
NJVMJD128T4G
ON Semiconductor
NJVMJD32T4G
ON Semiconductor
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation