Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SC3646T-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC3646T-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC3646T-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC3646T-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Leistung max | 500mW |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3646T-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC3646T-TD-E-FT |
2SB1215T-H
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2SC5707-E
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2SD1815S-E
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M1A3P400-FG484
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APA600-BGG456I
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5SGSMD8K3F40C4N
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XCV100-4BG256C
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XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
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LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE115F29I8L
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