Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SC3649T-TD-H
Herstellerteilenummer | 2SC3649T-TD-H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC3649T-TD-H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC3649T-TD-H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1.5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 160V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 100mA, 5V |
Leistung max | 500mW |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3649T-TD-H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC3649T-TD-H-FT |
TIP36CP
STMicroelectronics
2SC6097-E
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2SD1801S-E
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2SA2126-H
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2SA1552T-H
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M2GL050T-FCSG325
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A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
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EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
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EP3SL110F780I4L
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