Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5227A-4-TB-E
Herstellerteilenummer | 2SC5227A-4-TB-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5227A-4-TB-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5227A-4-TB-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 12dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 90 @ 20mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | 3-CP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5227A-4-TB-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5227A-4-TB-E-FT |
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
LFE2M100SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
5SGSED6K3F40I3L
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
AGL600V2-CS281I
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196
Microsemi Corporation
LFXP6C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-2NGZ
Intel