Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5347AE-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC5347AE-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5347AE-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5347AE-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 4.7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
Gewinnen | 8dB |
Leistung max | 1.3W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5347AE-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5347AE-TD-E-FT |
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102B96
Renesas Electronics America Inc.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX08A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A1415A-VQG100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXMB9R3H43C2LN
Intel
5SGXMA9K2H40C3N
Intel
A42MX09-1PQG160I
Microsemi Corporation
10AX115N4F45E3SG
Intel
EP1S40F1020C7N
Intel