Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5347AE-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC5347AE-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5347AE-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5347AE-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 4.7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
Gewinnen | 8dB |
Leistung max | 1.3W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5347AE-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5347AE-TD-E-FT |
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102B96
Renesas Electronics America Inc.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-2FG144
Microsemi Corporation
A1010B-2PLG68C
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27C7N
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGSED8N1F45I2N
Intel
5SGSED8N3F45I3N
Intel
5SGXEA9K2H40C3N
Intel
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C7N
Intel
5AGTMD3G3F31I3N
Intel