Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SC5566-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC5566-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5566-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5566-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 4A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 225mV @ 100mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 1.3W |
Frequenz - Übergang | 400MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5566-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5566-TD-E-FT |
2SC4027T-E
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2SD1816S-H
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2SB1204T-E
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AGLN015V2-QNG68I
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LCMXO256C-4TN100I
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XCS30XL-4VQG100C
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APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
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XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel