Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SD09660R
Herstellerteilenummer | 2SD09660R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SD09660R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SD09660R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 340 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Supplier Device Package | TO-92L-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD09660R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SD09660R-FT |
2SC4153
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2SA1488
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AFS600-2FG256I
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APA600-FG256I
Microsemi Corporation
5CEFA7M15I7N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
EP2SGX30CF780C4
Intel