Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1060R-1E
Herstellerteilenummer | 2SD1060R-1E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SD1060R-1E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SD1060R-1E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1A, 2V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 30MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1060R-1E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SD1060R-1E-FT |
2SB1216S-H
ON Semiconductor
2SB1216T-E
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2SB1216T-H
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2SC4134S-E
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EPF10K30AFC256-3
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10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
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