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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F)
- MFG-Teilenummer
- 2SJ360(F)
- verfügbare Anzahl
- 70280 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- 2SJ360(F).pdf
2SJ360(F) Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | 2SJ360(F) |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-2SJ360(F) |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| 2SJ360(F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PW-MINI |
| Paket / fall | TO-243AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SJ360(F) Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | 2SJ360(F)-FT |
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