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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1119(F)

Name: 2SK1119(F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK1119(F)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (801 reviews)

MFG-Teilenummer: 2SK1119(F)

verfügbare Anzahl: 63740 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: 2SK1119(F).pdf

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2SK1119(F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	2SK1119(F)
Zukünftige Teilenummer	FT-2SK1119(F)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
2SK1119(F) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK1119(F) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	2SK1119(F)-FT

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