Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 2SK122800L
Herstellerteilenummer | 2SK122800L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SK122800L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SK122800L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 Ohm @ 10mA, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4.5pF @ 5V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Mini3-G1 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK122800L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SK122800L-FT |
SI2367DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2315ES-T1_GE3
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XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
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EP3SL110F780I4LN
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EP1C20F324C8N
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