Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 2SK353900L
Herstellerteilenummer | 2SK353900L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SK353900L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SK353900L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 10mA, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±7V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 3V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SMini3-G1 |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK353900L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SK353900L-FT |
RJK0851DPB-00#J5
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RJK0853DPB-00#J5
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RJK0854DPB-00#J5
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RJK0856DPB-00#J5
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RJK1051DPB-00#J5
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