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Herstellerteilenummer | 2SK3820-DL-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SK3820-DL-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SK3820-DL-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 26A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.65W (Ta), 50W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SMP-FD |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK3820-DL-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SK3820-DL-E-FT |
IRL7833STRLPBF
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IRLS4030TRLPBF
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IPB034N06L3GATMA1
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IPB035N08N3GATMA1
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LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
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