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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-Y(TE85L,F)
- MFG-Teilenummer
- 2SK879-Y(TE85L,F)
- verfügbare Anzahl
- 91110 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.11284
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- - JFET N-CH 0.1W USM
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - JFETs
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- 2SK879-Y(TE85L,F).pdf
2SK879-Y(TE85L,F) Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | 2SK879-Y(TE85L,F) |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-2SK879-Y(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| 2SK879-Y(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 400mV @ 100nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | USM |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SK879-Y(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | 2SK879-Y(TE85L,F)-FT |
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