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Herstellerteilenummer | 38H122C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-38H122C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 3800 |
38H122C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 1.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 9A |
Strom - Sättigung | 17A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 6.8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.409" L x 0.409" W (10.40mm x 10.40mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.220" (5.60mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
38H122C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 38H122C-FT |
LQH2MCN390K02L
Murata Electronics North America
LQH2MCN3R3M02L
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LQH2MCN560K02L
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LQB18NNR56J10D
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LQB18NNR22J10D
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LQB18NNR22K10D
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A3P600L-FGG484
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
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