Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / 3EZ8.2D2/TR12
Herstellerteilenummer | 3EZ8.2D2/TR12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-3EZ8.2D2/TR12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
3EZ8.2D2/TR12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 3W |
Impedanz (max.) (Zzt) | 2.3 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 6V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3EZ8.2D2/TR12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 3EZ8.2D2/TR12-FT |
3EZ47D10/TR8
Microsemi Corporation
3EZ47D10E3/TR12
Microsemi Corporation
3EZ47D10E3/TR8
Microsemi Corporation
3EZ47D2/TR12
Microsemi Corporation
3EZ47D2/TR8
Microsemi Corporation
3EZ47D2E3/TR12
Microsemi Corporation
3EZ47D2E3/TR8
Microsemi Corporation
3EZ47D5/TR12
Microsemi Corporation
3EZ47D5/TR8
Microsemi Corporation
3EZ47D5E3/TR12
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel