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ON Semiconductor 3LN01C-TB-E
- MFG-Teilenummer
- 3LN01C-TB-E
- verfügbare Anzahl
- 65670 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- 3LN01C-TB-E.pdf
3LN01C-TB-E Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | 3LN01C-TB-E |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-3LN01C-TB-E |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| 3LN01C-TB-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 150mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 80mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 250mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 3LN01C-TB-E Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | 3LN01C-TB-E-FT |
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