Herstellerteilenummer | 3N163-2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-3N163-2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
3N163-2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 Ohm @ 100µA, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-72 |
Paket / fall | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N163-2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 3N163-2-FT |
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