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Herstellerteilenummer | 3SK263-5-TG-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-3SK263-5-TG-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
3SK263-5-TG-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | N-Channel Dual Gate |
Frequenz | 200MHz |
Gewinnen | 21dB |
Spannungs - Test | 6V |
Aktuelle Bewertung | 30mA |
Rauschzahl | 2.2dB |
Aktueller Test | 10mA |
Leistung | - |
Spannung - bewertet | 15V |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | 4-CP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3SK263-5-TG-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 3SK263-5-TG-E-FT |
BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies
BF999E6433HTMA1
Infineon Technologies
MMBF102
ON Semiconductor
MMBF4416LT1
ON Semiconductor
MMBF5485_NB50012
ON Semiconductor
MMBFJ210
ON Semiconductor
MMBFJ212
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1
ON Semiconductor
MMBFJ310LT1
ON Semiconductor
NE55410GR-AZ
CEL
EP4SGX530KF43C4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1926E
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19C6N
Intel
10AX090R3F40I2LG
Intel
EP4CE115F29C7
Intel
EP1S25F780I6N
Intel
EPF81188AQC240-3
Intel
MPM7128SQC100AC
Intel