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Herstellerteilenummer | 3SK263-5-TG-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-3SK263-5-TG-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
3SK263-5-TG-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | N-Channel Dual Gate |
Frequenz | 200MHz |
Gewinnen | 21dB |
Spannungs - Test | 6V |
Aktuelle Bewertung | 30mA |
Rauschzahl | 2.2dB |
Aktueller Test | 10mA |
Leistung | - |
Spannung - bewertet | 15V |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | 4-CP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3SK263-5-TG-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 3SK263-5-TG-E-FT |
BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies
BF999E6433HTMA1
Infineon Technologies
MMBF102
ON Semiconductor
MMBF4416LT1
ON Semiconductor
MMBF5485_NB50012
ON Semiconductor
MMBFJ210
ON Semiconductor
MMBFJ212
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1
ON Semiconductor
MMBFJ310LT1
ON Semiconductor
NE55410GR-AZ
CEL
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5F256I7
Intel
10M04SAU169I7G
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
5SGXEA7N3F45I4N
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I1SG
Intel
EP2C70F896I8N
Intel