Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N25S(TB)-V
Herstellerteilenummer | 4N25S(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N25S(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N25S(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 20% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 500mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N25S(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N25S(TB)-V-FT |
EL817(S1)(TD)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TD)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TU)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TU)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TU)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S2)(A)(TU)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S1(A)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
XC7K325T-1FBG676C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
10M08DAF256I7G
Intel
10M40DCF256A7G
Intel
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
XC6VLX365T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-3AA
Intel