Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N26S(TB)
Herstellerteilenummer | 4N26S(TB) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N26S(TB) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N26S(TB) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 20% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 500mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-DIP SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N26S(TB) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N26S(TB)-FT |
EL817S1(A)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
XC6VCX240T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP2AGX65DF29I5
Intel
EP4CE55F29C8L
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel