Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N27S1(TB)-V
Herstellerteilenummer | 4N27S1(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N27S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N27S1(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 10% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 500mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N27S1(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N27S1(TB)-V-FT |
EL817(S)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG900I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation