Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N27S1(TB)
Herstellerteilenummer | 4N27S1(TB) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N27S1(TB) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N27S1(TB) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 10% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 500mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N27S1(TB) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N27S1(TB)-FT |
EL817(S)(B)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FCSG325
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
EP4CE15M9C7N
Intel
5SGXMA5N2F45I2N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL125V2-FGG144T
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation