Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N29S1(TB)-V
Herstellerteilenummer | 4N29S1(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N29S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N29S1(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 100% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Darlington with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 55V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 1V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N29S1(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N29S1(TB)-V-FT |
EL817(S)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
XC4005E-2TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-1QNG48I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4LN
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1928E
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG676C
Xilinx Inc.
M1AGL250V5-FGG144I
Microsemi Corporation
EP1S40F780C7N
Intel