Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N30S(TB)-V
Herstellerteilenummer | 4N30S(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N30S(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N30S(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 100% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Darlington with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 55V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 1V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N30S(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N30S(TB)-V-FT |
EL817(S)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S500E-4FT256C
Xilinx Inc.
APA075-FG144I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG256K
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
XC4013XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP3SE260F1517C4N
Intel
XC4005XL-09PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQI208-2
Intel