Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N35S1(TB)
Herstellerteilenummer | 4N35S1(TB) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N35S1(TB) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N35S1(TB) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 100% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 10µs, 9µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 300mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35S1(TB) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N35S1(TB)-FT |
EL817(S1)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(A)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(B)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(C)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
LFE2M100E-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-1
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
Intel
10AX048H2F34E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I3N
Intel
5SGXEBBR2H43I2N
Intel
XA7A50T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F780C5
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel