Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N35S(TB)-V
Herstellerteilenummer | 4N35S(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N35S(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N35S(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 100% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 10µs, 9µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 300mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35S(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N35S(TB)-V-FT |
EL817(S1)(D)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF484C8G
Intel
EP3C55U484C7N
Intel
EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2M50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C5N
Intel