Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N35TVM
Herstellerteilenummer | 4N35TVM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N35TVM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N35TVM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 4170Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 100% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 2µs, 2µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.18V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 300mV |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Supplier Device Package | 6-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35TVM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N35TVM-FT |
H11AA4SR2VM
ON Semiconductor
CNY173SR2M
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H11G2SR2VM
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CNY174SR2M
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4N37SR2VM
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EPF6016ATC144-2
Intel
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG144I
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43I2
Intel
M1A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
10M02SCM153C8G
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EPF10K100ARC240-2
Intel