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Herstellerteilenummer | 511R-28J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-511R-28J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 511R |
511R-28J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Phenolic |
Induktivität | 2µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 530mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 800 mOhm Max |
Q @ Freq | 33 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 140MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
511R-28J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 511R-28J-FT |
511-36F
API Delevan Inc.
511-36G
API Delevan Inc.
511-36H
API Delevan Inc.
511-36J
API Delevan Inc.
511-38F
API Delevan Inc.
511-38G
API Delevan Inc.
511-38H
API Delevan Inc.
511-38J
API Delevan Inc.
511-3F
API Delevan Inc.
511-3G
API Delevan Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel