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Herstellerteilenummer | 511R-34H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-511R-34H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 511R |
511R-34H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Phenolic |
Induktivität | 3.6µH |
Toleranz | ±3% |
Aktuelle Bewertung | 325mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 2.15 Ohm Max |
Q @ Freq | 33 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 105MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
511R-34H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 511R-34H-FT |
511-40J
API Delevan Inc.
511-42F
API Delevan Inc.
511-42G
API Delevan Inc.
511-42H
API Delevan Inc.
511-42J
API Delevan Inc.
511-44F
API Delevan Inc.
511-44G
API Delevan Inc.
511-44H
API Delevan Inc.
511-44J
API Delevan Inc.
511-46F
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel