Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 55GN01MA-TL-E
Herstellerteilenummer | 55GN01MA-TL-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-55GN01MA-TL-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
55GN01MA-TL-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
Gewinnen | 10dB @ 1GHz |
Leistung max | 400mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | 3-MCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GN01MA-TL-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 55GN01MA-TL-E-FT |
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel