Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 5HN01C-TB-EX
Herstellerteilenummer | 5HN01C-TB-EX |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-5HN01C-TB-EX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
5HN01C-TB-EX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | - |
Technologie | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Supplier Device Package | - |
Paket / fall | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5HN01C-TB-EX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 5HN01C-TB-EX-FT |
2N6768T1
Microsemi Corporation
2N6770
Microsemi Corporation
2N6770T1
Microsemi Corporation
2N6782U
Microsemi Corporation
2N6784U
Microsemi Corporation
2N6788U
Microsemi Corporation
2N6790U
Microsemi Corporation
2N6796U
Microsemi Corporation
2N6798U
Microsemi Corporation
2N6800U
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel