Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 5HN01C-TB-E
Herstellerteilenummer | 5HN01C-TB-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-5HN01C-TB-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
5HN01C-TB-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | - |
Technologie | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 3-CP |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5HN01C-TB-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 5HN01C-TB-E-FT |
2N6768
Microsemi Corporation
2N6768T1
Microsemi Corporation
2N6770
Microsemi Corporation
2N6770T1
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2N6782U
Microsemi Corporation
2N6784U
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2N6788U
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A3PE600-1PQG208I
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AT6002-4AC
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