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Herstellerteilenummer | 6116LA20TDB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-6116LA20TDB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
6116LA20TDB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 20ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Supplier Device Package | 24-CDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA20TDB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 6116LA20TDB-FT |
S29GL256S90GHI020
Cypress Semiconductor Corp
70T3339S133BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M34M02-DXCT2TP/K
STMicroelectronics
MX25R8035FBEIHH
Macronix
MX25U51245GMI
Macronix
MX25U51245GMI0A
Macronix
MX25U51245GXDI0A
Macronix
MX29F040CTC-70G
Macronix
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel