Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / 6116LA35TDB
Herstellerteilenummer | 6116LA35TDB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-6116LA35TDB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
6116LA35TDB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 35ns |
Zugriffszeit | 35ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Supplier Device Package | 24-CDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA35TDB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 6116LA35TDB-FT |
70V26L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M34M02-DXCT2TP/K
STMicroelectronics
MX25R8035FBEIHH
Macronix
MX25U51245GMI
Macronix
MX25U51245GMI0A
Macronix
MX25U51245GXDI0A
Macronix
MX29F040CTC-70G
Macronix
MX29F040CTC-90G
Macronix
MX29F200CBMC-70G
Macronix
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation