Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 64-6006PBF
Herstellerteilenummer | 64-6006PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-64-6006PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
64-6006PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 46A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 247nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7370pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 430W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
64-6006PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 64-6006PBF-FT |
SPD04N50C3ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S405ATMA1
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IPD70P04P409ATMA1
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IPD80R280P7ATMA1
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IPD50N04S408ATMA1
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IPD50N04S410ATMA1
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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Microsemi Corporation
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