Herstellerteilenummer | 6A01-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-6A01-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
6A01-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | R6, Axial |
Supplier Device Package | R-6 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A01-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 6A01-G-FT |
HER101-T
Diodes Incorporated
HER102-T
Diodes Incorporated
HER103-T
Diodes Incorporated
HER104-T
Diodes Incorporated
HER105-T
Diodes Incorporated
PR1001GL-T
Diodes Incorporated
PR1001L-T
Diodes Incorporated
PR1002GL-T
Diodes Incorporated
PR1002L-T
Diodes Incorporated
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel