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Herstellerteilenummer | 70V657S10DRG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-70V657S10DRG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
70V657S10DRG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Speichergröße | 1.125Mb (32K x 36) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Zugriffszeit | 10ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3.15V ~ 3.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 208-BFQFP |
Supplier Device Package | 208-PQFP (28x28) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V657S10DRG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 70V657S10DRG-FT |
70V3569S4BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel