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Herstellerteilenummer | 70V659S10DRG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-70V659S10DRG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
70V659S10DRG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Speichergröße | 4.5Mb (128K x 36) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Zugriffszeit | 10ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3.15V ~ 3.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 208-BFQFP |
Supplier Device Package | 208-PQFP (28x28) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S10DRG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 70V659S10DRG-FT |
SM662GXC-ACS
Silicon Motion, Inc.
SM662GXC-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662GXC-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662GXD-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662GXD-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662GXE-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PEA-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PEB-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PEB-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662PEC-BD
Silicon Motion, Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel