Zuhause / Produkte / Widerstände / Widerstände zur Gehäusemontage / 850F1R2E
Herstellerteilenummer | 850F1R2E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-850F1R2E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Metal-Mite®89 |
850F1R2E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 1.2 Ohms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 50W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Temperaturkoeffizient | ±50ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 275°C |
Eigenschaften | - |
Beschichtung, Gehäusetyp | Aluminum |
Montagefunktion | Flanges |
Größe / Abmessung | 1.938" L x 1.156" W (49.23mm x 29.36mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.620" (15.75mm) |
Führungsstil | Solder Lugs |
Paket / fall | Axial, Box |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
850F1R2E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 850F1R2E-FT |
HS50 50R J
Ohmite
HS50 560R F
Ohmite
HS50 560R J
Ohmite
HS50 56R F
Ohmite
HS50 56R J
Ohmite
HS50 5K F
Ohmite
HS50 5K6 J
Ohmite
HS50 5R F
Ohmite
HS50 5R J
Ohmite
HS50 5R6 F
Ohmite
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ84B
Microsemi Corporation
AFS1500-FG484K
Microsemi Corporation
EP2C50F484C8N
Intel
EP4CE55F23I8L
Intel
EP4CE22F17I7
Intel
EP4SGX290KF40C4N
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
XC4VSX55-11FF1148C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQG100
Microsemi Corporation