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NXP USA Inc. A2G26H281-04SR3

MFG-Teilenummer
A2G26H281-04SR3
verfügbare Anzahl
54130 Stücke
Referenzpreis
USD 118.962656
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - HF
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
A2G26H281-04SR3.pdf
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A2G26H281-04SR3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer A2G26H281-04SR3
Zukünftige Teilenummer FT-A2G26H281-04SR3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
A2G26H281-04SR3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 2.496GHz ~ 2.69GHz
Gewinnen 14.2dB
Spannungs - Test 48V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 150mA
Leistung 50W
Spannung - bewertet 125V
Paket / fall NI-780S-4L
Supplier Device Package NI-780S-4L
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2G26H281-04SR3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer A2G26H281-04SR3-FT

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