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A2G35S160-01SR3 Image

NXP USA Inc. A2G35S160-01SR3

MFG-Teilenummer
A2G35S160-01SR3
verfügbare Anzahl
53200 Stücke
Referenzpreis
USD 93.096064
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - HF
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
A2G35S160-01SR3.pdf
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A2G35S160-01SR3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer A2G35S160-01SR3
Zukünftige Teilenummer FT-A2G35S160-01SR3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
A2G35S160-01SR3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 3.4GHz ~ 3.6GHz
Gewinnen 15.7dB
Spannungs - Test 48V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 190mA
Leistung 51dBm
Spannung - bewertet 125V
Paket / fall NI-400S-2S
Supplier Device Package NI-400S-2S
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2G35S160-01SR3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer A2G35S160-01SR3-FT

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