Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - HF / A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3

Name: A2G35S200-01SR3
Brand: NXP USA Inc.
SKU: A2G35S200-01SR3
Price: 98.748672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (406 reviews)

MFG-Teilenummer: A2G35S200-01SR3

verfügbare Anzahl: 38160 Stücke

Referenzpreis: USD 98.748672

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: A2G35S200-01SR3.pdf

Angebot anfordern für A2G35S200-01SR3

Name der Firma

Gesprächspartner

Telefonnummer

Adresse

Email

Botschaft

A2G35S200-01SR3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	A2G35S200-01SR3
Zukünftige Teilenummer	FT-A2G35S200-01SR3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
A2G35S200-01SR3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Transistortyp	LDMOS
Frequenz	3.4GHz ~ 3.6GHz
Gewinnen	16.1dB
Spannungs - Test	48V
Aktuelle Bewertung	-
Rauschzahl	-
Aktueller Test	291mA
Leistung	180W
Spannung - bewertet	125V
Paket / fall	NI-400S-2S
Supplier Device Package	NI-400S-2S
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2G35S200-01SR3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	A2G35S200-01SR3-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns