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A2T18S262W12NR3 Image

NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3

MFG-Teilenummer
A2T18S262W12NR3
verfügbare Anzahl
53360 Stücke
Referenzpreis
USD 54.140352
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - HF
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
A2T18S262W12NR3.pdf
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A2T18S262W12NR3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer A2T18S262W12NR3
Zukünftige Teilenummer FT-A2T18S262W12NR3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
A2T18S262W12NR3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen 19.3dB
Spannungs - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 1.6A
Leistung 231W
Spannung - bewertet 65V
Paket / fall OM-880X-2L2L
Supplier Device Package OM-880X-2L2L
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2T18S262W12NR3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer A2T18S262W12NR3-FT

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