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Herstellerteilenummer | AISC-1812H-1R0N-T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AISC-1812H-1R0N-T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | AISC-1812H |
AISC-1812H-1R0N-T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±30% |
Aktuelle Bewertung | 1.08A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 120MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1812 (4532 Metric) |
Supplier Device Package | 1812 |
Größe / Abmessung | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.110" (2.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AISC-1812H-1R0N-T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AISC-1812H-1R0N-T-FT |
AIUR-16-122K
Abracon LLC
AIUR-16-6R8K
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AIUR-16-470K
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AIUR-16-332K
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A3P600L-FGG484
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
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